Электроника
SiB456DK и SiA416DJ — новые 100 В n-канальные MOSFET от Vishay
Компания Vishay Intertechnology представила SiB456DK и SiA416DJ — новые мощные 100 В N-канальные TrenchFET MOSFET. SiB456DK и SiA416DJ являются первыми промышленными 100 В N-канальными устройствами в компактном, термически усиленном PowerPAK SC-75 1.6х1.6 мм и PowerPAK SC-70 2х2 мм с сопротивлением открытого канала менее 200 мОм и 100 мОм, соответственно.
Основные преимущества:
- Сопротивление до 83 мОм при 10 В приводит к снижению потерь проводимости, что уменьшает энергопотребление и увеличивает эффективность;
- Ультра-компактные корпуса 1.6х1.6 мм PowerPAK SC-75 и 2х2 мм PowerPAK SC-70 позволяют экономить место на печатной плате;
- Низкое сопротивление и заряд затвора. Ключевой показатель (FOM) – до 455 мОм-нК при 4.5 В;
- Сопротивление в диапазоне до 4.5 В упрощает управление затвором;
Новые MOSFET могут найти свое применение в повышающих преобразователях, DC/AC инверторах малой мощности и в миниатюрных DC/DC преобразователях для телекоммуникаций, POL приложениях и для светодиодного освещения в портативной технике.
| Параметры | SiB456DK-T1-GE3 | SiA416DJ –T1-GE3 | |
| VDS (В) | 100 | 100 | |
| VGS (В) | 20 | 20 | |
| RDS(ON) (мОм) | @ 10 В | 185 | 83 |
| @ 4.5 В | 310 | 130 | |
| FOM (мОм-нК) | @ 10 В | 611 | 540 |
| @ 4.5 В | 558 | 455 | |
| Корпус | PowerPAK SC-75 | PowerPAK SC-70 | |
{jcomments on}
Статьи