Электроника
Новые 12V и 20V мощные N- и P-канальные MOSFET от VISHAY
Компания Vishay Intertechnology представила новые мощные 12 В и 20 В n- и р-канальные TrenchFET транзисторы с низким сопротивлением открытого канала в миниатюрном корпусе MICRO FOOT.
Впервые для корпуса размером 0.8х0.8 мм и высотой 0.4 мм, МОП-транзисторы построены по технологии ультра-высокой плотности. В сочетании с бескорпусной технологией CSP MICRO FOOT, это обеспечивает самое низкое сопротивление цепи сток-исток от вывода к выводу в открытом состоянии транзистора, которое только возможно для данной габаритной площади.
Основные преимущества
- Компактные размеры 0.8х0.8х0.4 мм и 1×1х0.548 мм
- Низкое сопротивление Rds(on) 43 мОм при 4.5 В на затворе (для Si8806DB).
- N-канальные MOSFET имеют быстрое время turn-on/off <100 нс
- Si8489EDB — первый P-MOSFET поколения Gen III в корпусе 1х1 мм нормирован на уровень защиты от электростатического разряда 2500 В;
- Si8817DB имеет низкое сопротивление Rds(on) при управляющем напряжении 1.5 В, что позволяет устройству работать низким напряжении шины питания.
Технические характеристики представлены в таблице:
| Si8806DB | Si8812DB | Si8817DB | Si8489EDB | ||
| Полярность | N | N | P | P | |
| Uси, В | 12 | 20 | -20 | -20 | |
| Rси(вкл), мОм (max) | @10 В | — | — | — | 44 |
| @4.5 В | 43 | 59 | 76 | 54 | |
| @3.7 В | — | 61 | — | — | |
| @2.5 В | 50 | 65 | 100 | 82 | |
| @1.8 В | 65 | 85 | 145 | — | |
| @1.5 В | — | — | 320 | — | |
| Корпус (ДхШхВ),мм | 0.8 x 0.8 х 0.4 | 1 x 1 х 0.548 | |||
{jcomments on}
Статьи