Электроника
Si7655DN — 20V P-канальный MOSFET с низким Rds(on)
Компания Vishay Intertechnology представила новый р-канальный MOSFET транзистор Si7655DN с уникально низким сопротивлением открытого канала для рабочего напряжения 20 В.
Новый транзистор создан с использованием передовых р-канальных Gen III технологий. Как результат, типовое сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет всего 3 мОм при управляющем напряжении на затворе 10 В. Кроме этого, новый транзистор превосходит ближайшие аналоги по этому параметру при более низких управляющих напряжениях. Например, максимальное значение сопротивления открытого канала Si7655DN при различных напряжениях затвор-исток составляет:
- 3.6 мОм @ 10 В,
- 4.8 мОм @ 4.5 В,
- 8.5 мОм @ 2.5 В,
что на 17% лучше, чем у аналогичных 20 В p-канальных MOSFET транзисторов. Применение Si7655DN позволяет добиться снижения потерь на проводимость в различных силовых цепях. Это может быть особенно актуально в различных устройствах с батарейным питанием. К этому случаю стоит дополнительно отметить, что применению Si7655DN в малогабаритных переносных устройствах, в том числе внутри аккумуляторов, способствует новый корпус этого транзистора — PowerPAK 1212-8S размером 3.3х3.3 мм и высотой всего 0.75 мм.
Область применения
- Переключение нагрузки и «горячая замена» в промышленных системах;
- Сетевые адаптеры, батареи питания;
- Управление питанием мобильных устройств и т.п.
{jcomments on}
Статьи