Электроника
IRG7PSH73K10 — мощный 1200V IGBT с защитой от КЗ
IRG7PSH73K10PBF — сверхмощный IGBT от International Rectifier, выполненный по кремниевой технологии IGBT Gen7 и обеспечивающий максимальный рабочий ток 130 А при температуре кристалла 100°С.
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1200 В и обеспечивает широкую область безопасной работы в режиме короткого замыкания (SCSOA), что позволяет ему выдерживать ток короткого замыкания без разрушения кремниевой структуры и ухудшения рабочих характеристик транзистора в течение 10 мкс. Совокупность указанных параметров делает чрезвычайно эффективным применение данного транзистора в системах управления мощными двигателями, индукционных печах, сварочных аппаратах и в других высоковольтных инверторах.
| Наименование | Uсe (max), В | Iс @ 100°C, А | Vce(on), В | Etot, мДж | SCSOA, мкс | Корпус |
| IRG7PSH73K10PBF | 1200 | 130 | 2.0 | 12.3 | 10 | Super-247 |
{jcomments on}
Статьи