DataSheet - для любителей и профессионалов

Электроника

SiB456DK и SiA416DJ — новые 100 В n-канальные MOSFET от Vishay

SiB456DK и SiA416DJ — новые 100 В n-канальные MOSFET от VishayКомпания Vishay Intertechnology представила SiB456DK и SiA416DJ — новые мощные 100 В N-канальные TrenchFET MOSFET. SiB456DK и SiA416DJ являются первыми промышленными 100 В N-канальными устройствами в компактном, термически усиленном PowerPAK SC-75 1.6х1.6 мм и PowerPAK SC-70 2х2 мм с сопротивлением открытого канала менее 200 мОм и 100 мОм, соответственно.

Основные преимущества:

  • Сопротивление до 83 мОм при 10 В приводит к снижению потерь проводимости, что уменьшает энергопотребление и увеличивает эффективность;
  • Ультра-компактные корпуса 1.6х1.6 мм PowerPAK SC-75 и 2х2 мм PowerPAK SC-70 позволяют экономить место на печатной плате;
  • Низкое сопротивление и заряд затвора. Ключевой показатель (FOM) – до 455 мОм-нК при 4.5 В;
  • Сопротивление в диапазоне до 4.5 В упрощает управление затвором;

Новые MOSFET могут найти свое применение в повышающих преобразователях, DC/AC инверторах малой мощности и в миниатюрных DC/DC преобразователях для телекоммуникаций, POL приложениях и для светодиодного освещения в портативной технике.

Параметры SiB456DK-T1-GE3 SiA416DJ –T1-GE3
VDS (В) 100 100
VGS (В) 20 20
RDS(ON) (мОм) @ 10 В 185 83
  @ 4.5 В 310 130
FOM (мОм-нК) @ 10 В 611 540
  @ 4.5 В 558 455
Корпус PowerPAK SC-75 PowerPAK SC-70

 

{jcomments on}

Вы здесь: Главная Статьи Электроника SiB456DK и SiA416DJ — новые 100 В n-канальные MOSFET от Vishay