DataSheet - для любителей и профессионалов

Электроника

SiA447DJ и Si5429DU — новые силовые P-канальные 12V и 30V MOSFET

SiA447DJ и Si5429DU — новые силовые P-канальные 12V и 30V MOSFETКомпания Vishay расширила семейство мощных P-канальных MOSFET транзисторов двумя новыми представителями SiA447DJ и Si5429DU, с допустимыми напряжениями сток-исток 12 В и 30 В, соответственно. Транзисторы изготовлены по современной технологии TrenchFET Gen III и имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала при управляющем напряжении 4.5 В. Отдельно отметим транзистор SiA447DJ, который способен уверенно открываться при напряжении на затворе до 1.5 В. Это позволяет SiA447DJ работать в составе устройств с низкой шиной питания, что особенно актуально для портативных устройств.

SiA447DJ и Si5429DU доступны в корпусах PowerPAK SC-70 и PowerPAK ChipFET, размером 2х2 мм и 1.8х3 мм, соответственно. Такие компактные корпуса позволяют значительно экономить место на печатной плате.

Ключевое преимущество

  • Ультранизкое сопротивление Rds(on) при напряжении на затворе 4.5 В:
    • 13.5 мОм для SiA447DJ, что на 12% ниже чем у ближайших конкурентов;
    • 22 мОм для Si5429DU, что на 35% ниже чем у ближайших конкурентов.

 

 

Пример схемы применения

 

Технические характеристики представлены в таблице:

  SiA447DJ Si5429DU
VDS (В) -12 -30
VGS (В) 8 20
RDS(ON) at 10 V (мОм) 15
RDS(ON) at 4.5 V (мОм) 13.50 22
RDS(ON) at 2.5 V (мОм) 19.40
RDS(ON) at 1.8 V (мОм) 35
RDS(ON) at 1.5 V (мОм) 71
Корпус PowerPAK SC70 PowerPAK ChipFET

 

{jcomments on}

Вы здесь: Главная Статьи Электроника SiA447DJ и Si5429DU — новые силовые P-канальные 12V и 30V MOSFET