DataSheet - для любителей и профессионалов

Электроника

Новые 12V и 20V мощные N- и P-канальные MOSFET от VISHAY

Новые 12V и 20V мощные N- и P-канальные MOSFET от VISHAYКомпания Vishay Intertechnology представила новые мощные 12 В и 20 В n- и р-канальные TrenchFET транзисторы с низким сопротивлением открытого канала в миниатюрном корпусе MICRO FOOT.

Впервые для корпуса размером 0.8х0.8 мм и высотой 0.4 мм, МОП-транзисторы построены по технологии ультра-высокой плотности. В сочетании с бескорпусной технологией CSP MICRO FOOT, это обеспечивает самое низкое сопротивление цепи сток-исток от вывода к выводу в открытом состоянии транзистора, которое только возможно для данной габаритной площади.

 

 

 

Основные преимущества

  • Компактные размеры 0.8х0.8х0.4 мм и 1×1х0.548 мм
  • Низкое сопротивление Rds(on) 43 мОм при 4.5 В на затворе (для Si8806DB).
  • N-канальные MOSFET имеют быстрое время turn-on/off <100 нс
  • Si8489EDB — первый P-MOSFET поколения Gen III в корпусе 1х1 мм нормирован на уровень защиты от электростатического разряда 2500 В;
  • Si8817DB имеет низкое сопротивление Rds(on) при управляющем напряжении 1.5 В, что позволяет устройству работать низким напряжении шины питания.

Технические характеристики представлены в таблице:

  Si8806DB Si8812DB Si8817DB Si8489EDB
Полярность N N P P
Uси, В 12 20 -20 -20
Rси(вкл), мОм (max)  @10 В 44
 @4.5 В 43 59 76 54
 @3.7 В 61
 @2.5 В 50 65 100 82
 @1.8 В 65 85 145
 @1.5 В 320
Корпус (ДхШхВ),мм 0.8 x 0.8 х 0.4 1 x 1 х 0.548

 

{jcomments on}

Вы здесь: Главная Статьи Электроника Новые 12V и 20V мощные N- и P-канальные MOSFET от VISHAY