DataSheet - для любителей и профессионалов

Электроника

IRG7PSH73K10 — мощный 1200V IGBT с защитой от КЗ

IRG7PSH73K10 — мощный 1200V IGBT с защитой от КЗIRG7PSH73K10PBF — сверхмощный IGBT от International Rectifier, выполненный по кремниевой технологии IGBT Gen7 и обеспечивающий максимальный рабочий ток 130 А при температуре кристалла 100°С.

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1200 В и обеспечивает широкую область безопасной работы в режиме короткого замыкания (SCSOA), что позволяет ему выдерживать ток короткого замыкания без разрушения кремниевой структуры и ухудшения рабочих характеристик транзистора в течение 10 мкс. Совокупность указанных параметров делает чрезвычайно эффективным применение данного транзистора в системах управления мощными двигателями, индукционных печах, сварочных аппаратах и в других высоковольтных инверторах.

Наименование Uсe (max), В Iс @ 100°C, А Vce(on), В Etot, мДж SCSOA, мкс Корпус
IRG7PSH73K10PBF 1200 130 2.0 12.3 10 Super-247

 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Вы здесь: Главная Статьи Электроника IRG7PSH73K10 — мощный 1200V IGBT с защитой от КЗ