DataSheet - для любителей и профессионалов

Электроника

CAS100H12AM1 — полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER

CAS100H12AM1 — полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWERКомпания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные модули предлагаются как альтернативный вариант мощным IGBT модулям, но при этом имеют целый ряд преимуществ перед ними.

 

 

 

 

К преимуществам можно отнести:

  • Очень малые потери (RDS(on)  — 16 мОм, EON – менее 2.4 мДж, EOF – менее 1.4 мДж);
  • Нулевой обратный ток восстановления диодов;
  • Нулевой «хвостовой» ток выключения MOSFET;
  • Возможность работы на высоких частотах;
  • Положительный температурный коэффициент VF и VDS(ON);
  • Широкий диапазон рабочей температуры модулей: от -55 до +125°С (внешняя, температура кристалла до +150°С).

MOSFET модули на карбиде кремния CAS100H12AM1 рассчитаны на применение в преобразователях напряжения большой мощности: устройствах управления электродвигателями, инверторах для солнечных батарей, системах индукционного нагрева, импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания.

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Вы здесь: Главная Статьи Электроника CAS100H12AM1 — полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER